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通过金属有机化学气相沉积法在GaAs衬底上制备160 nm T栅极变质AlInAs / GaInAs HEMT
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文件大小: 814kb
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上传时间: 2021-03-04
详细说明：报道了通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）在GaAs衬底上生长的160 nm栅长变质AlInAs / GaInAs高电子迁移率晶体管（mHEMT）的制造和性能。 通过使用新颖的光学和电子束光刻技术，已经实现了亚微米mHEMTs器件。 这些器件表现出良好的DC和RF性能。 最大电流密度为817 mA / mm，最大跨导为828 mS / mm。 非合金欧姆接触电阻R（c）低至0.02Ω-mm。 单位电流增益截止频率（f（T））和最大振荡频率（f（max））分别为146 GHz和189 GHz。 对于通过MOCVD生长的160纳米栅长HEMT，该器件具有最高的f（T）。 输出电导为28.9 mS / mm，这导致28.6的大电压增益。 而且，在该器件中获得了4.3的输入电容与栅极-漏极反馈电容之比Cgs / Cgd。
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