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相邻AlGaN / GaN异质结构中阶梯状各向异性电子散射的理论研究
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上传时间: 2021-03-04
详细说明：通过许多实验发现，邻近的AlGaN / GaN异质结构中的电子迁移率是高度各向异性的，这被认为是由邻近的异质界面处的台阶引起的。 但是，由于很难找到所有方向上的电子弛豫时间的通用表达式，因此对这种实验结果没有理论上的解释。 在这项工作中，我们从求解标准的线性化玻耳兹曼方程开始，并将电子弛豫时间分为x和y分量（分别垂直于和平行于步骤）。 以此方式，发现弛豫时间的y分量是无限的，而x分量部分取决于散射势的形式。 随后，我们能够找到各向异性迁移率的解析表达式，并且计算结果与实验值一致。
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