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AlN缓冲液对6H-SiC衬底上生长的GaN薄膜物理性能的影响
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文件大小: 768kb
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上传时间: 2021-03-03
详细说明：在这项研究中，通过金属有机化学气相沉积法在6H-SiC衬底上制备了具有AlN缓冲层的1.5微米厚的GaN膜。 为了确定AlN缓冲液的生长条件对GaN薄膜的晶体质量和应力状态的影响，进行了两个系列的实验。 通过优化AlN缓冲液的生长条件，GaN薄膜的（0002）半峰全宽和摇摆曲线分别提高到136和225 arcsec。 获得具有0.332nm的小均方根粗糙度的光滑表面，并且观察到优异的光学性质。 同时，在一定程度上通过增加AlN缓冲层的生长温度和厚度来降低GaN膜中的位错密度和拉伸应力。 此外，通过拉曼光谱和低温光致发光光谱证实了GaN膜中的应力值，这表明GaN膜中的拉应力越低，膜的结晶度越高。
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