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NiO空穴传输层厚度对全无机量子点发光二极管性能的影响
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文件大小: 979kb
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上传时间: 2021-03-02
详细说明：由于全无机量子点发光二极管（QLED）在氧气，潮湿的环境中具有较高的稳定性以及较高的工作电流，因此近年来备受关注。 在这项工作中，我们全部制造了由ITO / NiO / QDs / ZnO / Al组成的有机CdSe / ZnS核壳型QLED，其中采用全溶液法沉积的NiO和ZnO薄膜用作空穴和电子传输层，分别。 为了实现高发光效率，电子和空穴之间的平衡传输起着关键作用。 在这项工作中，通过实验详细探讨了NiO膜厚度对QLEDs性能的影响。 以不同的转速制备具有各种厚度的NiO层。 实验结果表明，以较高的转速沉积较薄的NiO层具有较高的透射率和较大的带隙。 制作了四种典型的基于NiO厚度的QLED，以优化空穴传输层。 较薄的基于NiO层的器件在高电流注入下会执行明亮的发射，这归因于空穴传输层和量子点之间的势垒高度减小。
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