文件名称:
温度对基于金辅助金属氧化物化学汽相沉积生长的GaAs纳米线影响
开发工具:
文件大小: 2mb
下载次数: 0
上传时间: 2021-02-26
详细说明：利用金辅助的金属氧化物化学汽相沉积法(MOCVD)在汽液固(VLS)生长机制下GaAs (111) B衬底上生长了GaAs纳米线。研究了三个生长温度（500 ℃,530 ℃,560℃）对纳米线形貌及晶体质量的影响。在较低生长温度时，纳米线生长速率与纳米线直径无关，且纳米线上下直径分布均匀。随着温度的增高，纳米线成明显的圆锥状。当温度升高时，相对较粗的纳米线，长度缩短，这是因为在高温时VLS生长被抑制；对于相对较细的纳米线，长度是先减少后增大，这是由于在温度升高时Ga原子的扩散作用增大。温度的升高还导致了纳米线晶体质量的下降。低温时只有少量缺陷在相对较细的纳米线中出现；对于相对较粗的纳米线，其晶体结构为纯的闪锌矿结构。温度增高导致了Au-Ga合金纳米颗粒的不稳定，从而造成了缺陷的增加。
(系统自动生成,下载前可以参看下载内容)
下载文件列表
相关说明
- 本站资源为会员上传分享交流与学习,如有侵犯您的权益,请联系我们删除.
- 本站是交换下载平台，提供交流渠道，下载内容来自于网络，除下载问题外，其它问题请自行百度。
- 本站已设置防盗链，请勿用迅雷、QQ旋风等多线程下载软件下载资源，下载后用WinRAR最新版进行解压.
- 如果您发现内容无法下载，请稍后再次尝试；或者到消费记录里找到下载记录反馈给我们.
- 下载后发现下载的内容跟说明不相乎，请到消费记录里找到下载记录反馈给我们，经确认后退回积分.
- 如下载前有疑问，可以通过点击"提供者"的名字，查看对方的联系方式，联系对方咨询.
