文件名称:
62%电光转换效率的高功率808 nm半导体激光器
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文件大小: 1mb
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上传时间: 2021-02-25
详细说明:针对半导体激光器的能量损耗情况,设计优化了半导体激光器的结构,改进了材料的金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长条件。采用低压MOCVD外延技术生长了GaAsP/GaInP/AlGaInP应变量子阱大光腔结构,进而设计制作了808 nm大功率连续激光器芯片。25 ℃下,当输入电流10 A时,输出功率超过11.5 W,最大电光转换效率约62%。对5 W输出功率的808 nm激光器进行了老化实验,1000 h衰减小于2%。
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