文件名称:
808 nm大功率半导体激光器寿命实验
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上传时间: 2021-02-25
详细说明：为获得808 nm单巴条(bar)大功率半导体激光器寿命指标，研制了10工位大功率半导体激光器寿命实验在线监测系统，完成了3组寿命评价实验，这3组实验条件分别为温度25 ℃、电流100 A，温度50 ℃、电流100 A，温度50 ℃、电流115 A。采用线性回归分析、最小二乘法原理及拟合优度检验等统计学相关知识，获得了单bar大功率半导体激光器的功率退化模型，基此确定大功率半导体激光器的外推寿命为2.86×109次脉冲次数。同传统加速寿命评价实验方法相比，基于参数退化模型的寿命外推方法具有寿命评价时间短、准确性高的优点。
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