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上传时间: 2021-02-25
详细说明：自从2008年被HP Lab重新发现以来，忆阻器是第四种无源电路元件，引起了越来越多的关注。记录电压/电流历史曲线的独特特性为将来的神经形态计算系统设计创造了巨大的潜力。 然而，在纳米级，忆阻器器件制造中的Craft.io变化控制非常困难。 过程变化对依赖忆阻器连续（模拟）状态的忆阻系统的影响可能很大。 另外，已经广泛观察到随机切换行为。 为了便于研究基于忆阻器的硬件实现，我们比较并总结了不同的忆阻器建模方法，从简单的静态模型到考虑到过程变化影响的统计分析，以及基于实际实验测量值的随机行为模型。 在这项工作中，我们以最受欢迎的TiO2薄膜器件为例来分析忆阻器的电性能。 我们提出的建模方法可以通过必要的修改轻松地扩展到其他结构/材料。
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