文件名称:
热蒸发沉积Cu_2ZnSnS_4薄膜的光电性能
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文件大小: 281kb
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上传时间: 2021-02-24
详细说明：<正> Sn / Cu / ZnS前驱体在室温下通过蒸发沉积在钠钙玻璃上，然后在550℃的硫气氛中硫化3 h，制得Cu2ZnSnS4（CZTS）多晶薄膜。用X射线衍射，能量色散X射线光谱，紫外可见近红外分光光度法，霍尔效应系统和3D光学显微镜对制备的CZTS薄膜进行了表征。实验结果表明，[Cu]的比例] /（[Zn] + [Sn]）和[Zn] / [Sn]在CZTS中分别为0.83和1.15，CZTS薄膜在能量范围1.5-下的吸收系数大于4.0 x 104 cm-1。 3.5 eV，直接带隙约为1.47eV。CZTS膜的载流子浓度，电阻率和迁移率分别为6.98 x 1016 cm-3、6
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