文件名称:
高压SOI沟槽LDMOS的通用沟槽设计方法
开发工具:
文件大小: 371kb
下载次数: 0
上传时间: 2021-02-24
详细说明：介绍了针对各种沟槽介电常数，宽度和深度的高压SOI沟槽LDMOS的设计方法。 首次提出了一种通用的高效设计方法，其中考虑了击穿电压（BV）与特定导通电阻（Rs，on）之间的权衡。 高k（相对介电常数）电介质适合填充浅而宽的沟槽，而低k电介质则适合填充深而窄的沟槽。 还讨论了在漂移区中具有真空沟槽的SOI LDMOS。 仿真结果表明，由于填充了低k电介质的沟槽缩短了单元间距，因此可以实现高FOM BV2 / R s on。
(系统自动生成,下载前可以参看下载内容)
下载文件列表
相关说明
- 本站资源为会员上传分享交流与学习,如有侵犯您的权益,请联系我们删除.
- 本站是交换下载平台，提供交流渠道，下载内容来自于网络，除下载问题外，其它问题请自行百度。
- 本站已设置防盗链，请勿用迅雷、QQ旋风等多线程下载软件下载资源，下载后用WinRAR最新版进行解压.
- 如果您发现内容无法下载，请稍后再次尝试；或者到消费记录里找到下载记录反馈给我们.
- 下载后发现下载的内容跟说明不相乎，请到消费记录里找到下载记录反馈给我们，经确认后退回积分.
- 如下载前有疑问，可以通过点击"提供者"的名字，查看对方的联系方式，联系对方咨询.
