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在漂移区内具有任意垂直掺杂分布的横向功率器件的分析模型
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文件大小: 911kb
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上传时间: 2021-02-24
详细说明：通过求解二维泊松方程，提出了解析模型来计算具有任意垂直掺杂轮廓的横向功率器件的表面电势和电场分布。 公式化垂直和横向击穿电压，以量化完全耗尽和部分耗尽情况下的击穿特性。 为了获得击穿电压和导通电阻之间的最佳折衷，进一步推导了一种新的减小的表面场（RESURF）准则，该准则可用于各种漂移掺杂曲线。 基于这些模型和数值模拟，详细研究了漂移区中沿垂直方向均匀，线性，高斯和一些离散掺杂分布的横向功率器件的电场调制机制和击穿特性。 然后，对上述具有相同几何参数的器件的垂直掺杂分布进行了优化，结果表明，这些器件的最佳击穿电压和有效漂移掺杂浓度相同，与均匀掺杂器件相同。 ， 分别。 这些提出的模型的分析结果与数值结果和先前的实验结果非常吻合，证实了这里提出的模型的有效性。
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