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GaAs饱和吸收体的弹性性质的第一性原理
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文件大小: 486kb
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上传时间: 2021-02-24
详细说明：基于密度泛函理论的平面波赝势方法,运用Castep软件研究了带有不同本征点缺陷的GaAs饱和吸收体的晶格常数和弹性性质,得到了在不同的点缺陷影响下的GaAs晶体的弹性常数,并采用Voigt-Reuss-Hill方法计算得到相应的体积弹性模量B、剪切模量G,并与理想GaAs晶体的弹性模量数值进行对比。本征点缺陷的存在破坏了GaAs晶体的对称性,使晶格发生畸变,晶格常数变小,弹性常数也不再符合立方晶系的弹性常数模式。GaAs饱和吸收体的脆性降低,延性增强,晶格更容易发生切向形变。计算得到的弹性常数将有助于进一步分析含有复杂缺陷结构的GaAs晶体的弹性性质,并对GaAs晶体作为饱和吸收体用于被动调Q激光器具有理论指导意义。
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