文件名称:
大功率高光束质量1060 nm大光腔非对称波导半导体激光二极管
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上传时间: 2021-02-23
详细说明：设计并制备了大功率高光束质量的1060 nm 波长的非对称波导半导体激光二极管.本激光二极管包含压应变InGaAs/GaAs双量子阱和GaAs/AlGaAs分别限制结构。为提高激光二极管的大功率性能，设计激光器二极管的垂直结构具有小快轴远场发散角，大光斑面积及低腔面光能密度，低光腔内吸收损耗和高内量子效率等性能。通过引入4 μm厚弱光限制Al0.1Ga0.9As波导，激光器二极管的远场发散角降到20°，光斑宽度增到接近1 μm。量子阱位置偏调后得到的薄上波导层非对称波导结构可以使激光二极管即使在大电流注入时也能保持高的内量子效率。根据以上设计，分别制备了50 μm 宽条和窄条脊波导激光二极管。2 mm 腔长的宽条激光二极管得到1.3 W连续光功率。单模脊波导激光器的直流光功率为600 mW。
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