文件名称:
1015 nm半导体激光放大系统的实验研究
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上传时间: 2021-02-23
详细说明：报道了波长为1015 nm 的大功率单频半导体光放大器的设计与研制，实验研究了不同注入光功率和不同温度下，放大器输出光功率与注入电流的依赖关系。结果表明：当波长为1015 nm、功率约为30 mW 的种子光注入到半导体激光放大系统中，并把该放大器的注入电流增加到5 A 时，其输出的激光功率高达1600 mW，相应的放大倍数可达17.3 dB，且放大器输出功率随温度的降低而增大。此外，还观测了半导体光放大器输出功率的稳定性，发现该放大器可长时间保持稳定工作。因此，该1015 nm 激光放大系统可用于掺杂稀土离子晶体的激光冷却，四倍频后还可用于汞原子光钟的实验研究。
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