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块纤锌矿GaN中载流子输运的高场特性：蒙特卡洛观点
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文件大小: 402kb
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上传时间: 2021-02-23
详细说明：利用整体蒙特卡洛[EMC]方法，给出了高电场域大块纤锌矿相GaN中电子和空穴的输运性质。 在我们的EMC仿真中，由于缺乏实验数据而很少进行碰撞电离过程的研究。 冲击电离被视为一种附加的散射机制，冲击电离速率由Keldysh公式描述，公式中的参数通过将模拟结果与数值计算结果拟合来确定。 与之前对高载流子中GaN中载流子传输特性的研究相比，这种处理方法使得通过EMC方法方便地模拟电子或空穴引发的碰撞电离。 介绍并分析了在高达1 MV / cm的施加电场下载流子的稳态特性。 特别是，这里的碰撞电离过程需要进一步研究，并进行详细讨论。 发现可以通过两个简单的经验方程描述电子和空穴对施加电场的冲击电离系数。 此外，据我们所知，我们首次获得纤锌矿GaN中电子碰撞电离系数与空穴碰撞电离系数的比率，并发现它可以小于InP中的电子碰撞电离系数，这意味着纤锌矿GaN根据目前的噪声理论，可以具有良好的增益噪声行为。
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