文件名称:
基于3D分析的晶片形貌对化学机械抛光Craft.io影响的建模
开发工具:
文件大小: 1mb
下载次数: 0
上传时间: 2021-02-22
详细说明：本文研究了化学机械抛光（CMP）过程中由晶片表面形貌引起的去除速率变化基于三维（3D）固体-固体接触模型。 在模型中，晶片形貌的高度是二维为TG（x，y）。 一种在CMP过程中计算晶片与焊盘之间的接触压力P（x，y）的新方法是建议的。 它是由模拟结果发现，当TG（X，Y）被表示为cos的线性组合 广泛的信号可以表示为线性 当3D幅值谱和3D谱图很容易获得接触压力P（x，y） 该系统的相位谱是已知的。 晶片形貌的演变包括两个方波特征， 模拟不同的密度并将其与实验数据进行比较。 这种新方法将有助于建立具有复杂3D晶圆图案结构的CMP的模型。 这也将有助于在CMP期间指定抛光参数。 当具有复杂3D的
(系统自动生成,下载前可以参看下载内容)
下载文件列表
相关说明
- 本站资源为会员上传分享交流与学习,如有侵犯您的权益,请联系我们删除.
- 本站是交换下载平台，提供交流渠道，下载内容来自于网络，除下载问题外，其它问题请自行百度。
- 本站已设置防盗链，请勿用迅雷、QQ旋风等多线程下载软件下载资源，下载后用WinRAR最新版进行解压.
- 如果您发现内容无法下载，请稍后再次尝试；或者到消费记录里找到下载记录反馈给我们.
- 下载后发现下载的内容跟说明不相乎，请到消费记录里找到下载记录反馈给我们，经确认后退回积分.
- 如下载前有疑问，可以通过点击"提供者"的名字，查看对方的联系方式，联系对方咨询.
