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化学机械抛光过程中由3-D晶片形貌引起的接触压力分布的解析模型
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上传时间: 2021-02-22
详细说明：在 本文中，晶片形貌对接触压力分布的影响 基于3D固体-固体来研究和计算CMP过程中 联系人模型。 在模型中，晶圆被视为 刚性冲头和垫片作为半弹性空间。 高度 晶片表面的变化被认为是一个函数 由 基于 在线性弹性理论上，计算 晶圆和焊盘之间的接触压力分布为 以分析的方式推论。 CMP系统的性能 显示为线性系统。 公式显示 当晶片形貌表示为二维傅立叶时 膨胀，晶圆和焊盘之间的接触压力 可以表示为− + ）与 相同的频率和不同的幅度。 3D幅度谱 通过公式可以精确地计算出CMP系统的数量。 由两个正方形组成的晶片形貌的演变 模拟并比较了不同密度的波特征 实验数据。 本文提出的公式将有帮助 在CMP期间指定抛光参数。 它还提供 一种新的计算接触压力分布的方法 具有复杂3D地形的刚体，具有扁平柔性 完全基地。
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