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直接测量磁场对三（8-羟基喹啉）-铝发光二极管中载流子迁移率和复合的影响
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文件大小: 376kb
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上传时间: 2021-02-22
详细说明：磁场对载流子迁移率和基于三（8-羟基喹啉）铝（Alq（3））的发光二极管复合的影响已通过瞬态电致发光方法进行了测量。 可以确认，磁场对Alq（3）层中的电子和空穴迁移率没有影响，并且可以降低电子-空穴复合系数。 结果表明，在基于Alq（3）的发光二极管中，磁场效应的主要机制是当驱动电压大于发光二极管的起始电压时，单重eh对和三重eh对之间的相互转换，该互变是由磁场调制的。电致发光。
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