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MOCVD生长的InN薄膜的生长温度依赖性
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文件大小: 681kb
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上传时间: 2021-02-22
详细说明：我们调查了生长温度的依赖性 客栈通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长的薄膜。 实验结果表明，生长温度对合金的表面形貌，结晶质量和电学性能有很大影响。 客栈层。 生长温度的升高使ω扫描的半峰全宽（FWHM）变宽，并使表面形态变粗糙。 而电性能有所改善：随着温度的升高， 460 ℃ 到 560 ℃ ，室温霍尔迁移率从 98厘米2 / V·s至近 800厘米2 / V·s，载流子浓度从5.29×下降 10 19厘米-3至0.93× 10 19厘米-3 。 较高的生长温度导致更有效的NH 3裂解，从而改善了霍尔迁移率并降低了载流子浓度。
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