文件名称:
ZnO(n)/ZnSe(i)/c-Si(p)异质结太阳电池的模拟研究
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上传时间: 2021-02-22
详细说明：近年来，HIT(heterojunction with intrinsic thin-layer)结构太阳能电池由于具有转化效率高和可低温生产等优点获得了广泛的关注，但是转化原材料成本高、生产技术条件苛刻和缺陷态控制等问题制约了其进一步的发展。本文采用AFORS-HET软件模拟了ZnO(n)/ZnSe(i)/c-Si(p)异质结太阳电池结构吸收层掺杂浓度、缺陷密度和界面缺陷态密度等参数对该结构短路电流、开路电压、填充因子和光电转换效率的影响。优化后的结果显示，当吸收层掺杂浓度为1×1021 cm-3，ZnO层和c-Si层缺陷密度小于1017 cm-3时，ZnSe/c-Si界面缺陷密度小于102
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