文件名称:
大功率高可靠性垂直腔面发射激光器阵列研究
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上传时间: 2021-02-21
详细说明：针对980 nm激光波长设计了InGaAs/GaAsP材料多周期增益量子阱结构。垒层采用带隙更宽的GaAsP材料代替常规GaAs，改善了效率随温度升高而降低的问题，同时又能满足长寿命激光工作的需要。周期增益量子阱结构提高了有源区的单程增益，降低了阈值，提高了输出功率。制作出新结构的集成单元数为4×4,单元直径30 μm的阵列器件，工作电流为5.88 A时连续激光功率达到2 W；窄脉冲宽度1 μs,重复频率100 Hz,工作电流60 A时输出功率达到30 W，且均未达到饱和状态。此阵列器件在工作电流为1～4 A时发散角半宽均小于16°。利用加速老化方法对阵列器件的寿命进行了测试，推算出30 ℃的寿命可达5280 h以上，并分析了影响大功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)可靠性的主要因素。
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