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高调制度光致相变特性氧化钒薄膜太赫兹时域频谱研究
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上传时间: 2021-02-20
详细说明：基于太赫兹 （ＴＨｚ）时域频谱技术研究了飞秒激光激发下氧化钒纳米薄膜的光致绝缘体金属相变特性。利
用直流磁控溅射法在不同条件下制备了一系列蓝宝石基底上的氧化钒薄膜，通过测量薄膜发生光致相变后太赫兹
波的透射率来评估成膜质量，得出在溅射时间６０ｍｉｎ不变的情况下，退火时间和退火温度分别为６０ｓ和５６０ ℃时可以得到性能非常良好的氧化钒薄膜。在上述最佳条件下制备的氧化钒薄膜的相变深度可达８０％。利用薄膜近
似计算了太赫兹波段氧化钒薄膜在光致相变过程中电导率的变化，计算结果表明电导率实部在１０３ Ω－１·ｃｍ－１量级，并基于Ｄｒｕｄｅ模型得到了金属态氧化钒薄膜的复介电常数以及复折射
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