文件名称:
Comparison of short period InAs/GaSb superlattices on GaSb and GaAs substrates
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文件大小: 751kb
下载次数: 0
上传时间: 2021-02-20
详细说明：Type II superlattices (SLs) short period InAs(4ML)/GaSb(8ML) were grown by molecular-beam epitaxy on lattice-mismatched GaAs substrates and on GaSb substrates. A smooth GaSb epilayer was formed on GaAs substrates by inserting mulit-buffer layers including an interfacial misfit mode AlSb quantum dot layer and AlSb/GaSb superlattices smooth layer. SLs grown on GaAs substrates (GaAs-based SLs) showed well-resolved satellite peaks in XRD. GaSb-based SLs with better structural quality and smoother su
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