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直流磁控溅射制备a-Si:H膜工艺及其在激光器腔面膜上的应用
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文件大小: 1022kb
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上传时间: 2021-02-13
详细说明：利用直流(DC)磁控溅射方法制备氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜。研究了氢气流量、溅射源功率对膜的沉积速率、氢含量(CH)以及光学性能的影响。通过傅里叶变换红外(FTIR)吸收光谱计算氢含量,其最大原子数分数为11%。用椭偏仪测量了膜的折射率n和消光系数k,发现 a-Si:H薄膜的k值和n值都随CH的增加而减小。将优化的实验结果用于半导体激光器腔面高反镜的镀制,a-Si:H薄膜在808 nm波长处的n和k分别为3.2和8×10-3,获得了良好的激光输出特性。
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