文件名称:
Simulation study of the NAσ's dependence of DOF for 193-nm immersion lithography at 65-nm node
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文件大小: 353kb
下载次数: 0
上传时间: 2021-02-11
详细说明：Recently, ArF immersion lithography has been considered as a promising method after ArF dry lithography by a factor of refractive index n of the liquid filled into the space between the bottom lens and wafer, in the case of 193-nm exposure tools, water (n = 1.44) has been found as the best liquid. We explore the NAσ's dependence of depth of focus (DOF) under 3/4 annular and 3/4 quasar illumination by resist imaging simulation. Line/space pairs of line-to-space ratios 1:1, 1:2, 1:4 on binary mask
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