文件名称:
自由电子激光对GaAs/AlGaAs异质结构材料电学性质的影响
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文件大小: 538kb
下载次数: 0
上传时间: 2021-02-11
详细说明：自由电子激光(FEL)辐照样品前和辐照样品时,使用变温霍尔测量系统测试了这种n型调制掺杂GaAs/AlGaAs异质结构材料中准二维电子气(2DEG)的迁移率、电子浓度和电阻率.对比这两种情况下的结果可以发现:1) 迁移率随温度升高而降低,光照使迁移率增大;2) 电子浓度随温度变化关系相对较为复杂,但是平均而言,光照会使电子浓度减小;3) 电阻率随温度升高而升高,光照使电阻率减小,但这种影响不明显.对这些现象给出了具体的分析.
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