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上传时间: 2021-02-11
详细说明：用514.5 nm、 488.0 nm的Ar+激光和441.6 nm的He-Cd激光激发Eu3+:Y2SiO5晶体, 获得了一系列窄带荧光谱线, 其中双重谱线结构源于Eu3+离子发光中心在该材料中占据两种不等价的非对称光学格位。 测得了Eu3+:Y2SiO5的X射线多晶衍射谱的面间距数据, 计算了晶格常数和晶面角度, 通过和非掺杂Y2SiO5晶体数据的比较, 探讨了Eu3+和Y2SiO5格位的相互影响。
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