文件名称:
激光熔蚀反应淀积AlN薄膜残余应力及热稳定性的研究
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文件大小: 848kb
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上传时间: 2021-02-11
详细说明：激光熔蚀反应淀积于Si(100),Si(111)基底上的AlN薄膜是高质量高取向性的AlN多晶膜,薄膜与基底的取向关系为AlN(100)∥Si(100),AlN(110)∥Si(111)。薄膜具有较低的残余应力和较好的热稳定性。实验结果表明,当氮气压强和放电电压分别为100×133.33 Pa和650 V时,薄膜的残余应力低于3 GPa。此样品在纯氧环境500℃时,经过3 h的退火,红外吸收谱检测未发现有Al2O3特征峰出现。对AlN/Cu双层膜的研究表明所制备的AlN薄膜在金属薄膜的防护上也有潜在的应用价值。
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