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上传时间: 2021-02-11
详细说明：利用CO2激光辅助等离子体激励式化学气相沉积系统(Laser-assistedPlasma-enhanced Chemical Vapor Deposition,or LAPECVD),在硅(Si)基片上沉积出非晶形含氢较低的氮化硅(a:Si-Nx:H)薄膜。这些薄膜的折射率增加、膜致密性及平整度良好,其抗腐蚀性亦明显提升。LAPECVD沉积法是在电容式RF放电解离反应气体的同时,以输出功率密度3.3W/cm2的CO2激光斜向照射在硅基片上。因为激光斜照在硅基片上所提升的温度只有55℃,且可大量减少膜中的氢含量,以波长10.58μm激光照射获得的薄膜品质较波长9.52μm更佳,将此一非热效应的发生原因提出推论。
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