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上传时间: 2021-02-11
详细说明：研究了Ge:SiO2光敏缺陷的特性,分别在488 nm Ar离子激光与193 nm ArF准分子激光作用下,由紫外吸收带、激光荧光的测量实验及电子自旋共振实验,发现光纤中5.1 eV锗缺陷吸收带实际上是由5.06 eV可光致漂白带与5.17 eV不可漂白带组成;295 nm的激发荧光与5.06 eV的缺氧锗缺陷对应,随5.06 eV缺陷吸收带的漂白而衰减;而395 nm的激发荧光与5.17 eV的缺陷有关,随紫外光作用荧光强度保持为常数;提出了这两种缺陷的结构模型,讨论了吸收带漂白与曝光剂量的关系以及缺陷在不同激光照射下的光敏作用。
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