文件名称:
脉冲激光辐照下半导体薄膜中温度场的计算
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文件大小: 1mb
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上传时间: 2021-02-11
详细说明：利用理论模型求得了脉冲激光辐照半导体薄膜材料的温度场解析解。结合KrF准分子脉冲激光对淀积在熔凝石英衬底上的a-SiH薄膜以及a-Si:H/a-SiNx:H多量子阱结构材料的热退火处理,分析了膜厚、激光能量密度以及a-Si:H/a-SiNx:H多量子阱结构材料中的子层厚度比对温度场性质及a-Si:H薄膜的晶化效果的影响。
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