文件名称:
调整靶衬间距实现纳米Si晶粒尺寸的均匀可控
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上传时间: 2021-02-10
详细说明：采用脉冲激光烧蚀装置，在10 Pa的氩气环境下，在1～6 cm范围内调整衬底与靶的距离沉积制备了纳米Si薄膜。X射线衍射(XRD)谱和Raman谱测量均证实，纳米Si晶粒已经形成; 利用扫描电子显微镜(SEM)观测了所形成的纳米Si薄膜的表面形貌。结果表明，随着靶衬间距的增加，所形成的纳米Si晶粒的平均尺寸减小(尺寸均匀性变差)，在3 cm时达到最小值(尺寸分布最均匀)，而后开始增大(尺寸均匀性变差)。利用蒙特-卡罗(Monte Carlo)方法，对不同靶衬间距下烧蚀产物的输运动力学过程进行了数值模拟，得到与实验结果相同的结论。
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