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快速热处理对磁控溅射VO2薄膜光电特性的影响
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上传时间: 2021-02-09
详细说明：采用反应磁控溅射法制备二氧化钒(VO2)薄膜，并对其进行快速热处理(RTP)。主要研究500 ℃快速热处理10、15、20 s工艺条件下VO2薄膜结晶状况和光电性能的变化。在20 ℃~80 ℃温区内，应用四探针薄膜电阻测试方法和太赫兹时域频谱技术(THz-TDS)测量了各样品的电学相变特性和光学相变特性。结果表明，经过快速热处理的样品电学相变幅度均达到了2个数量级以上；THz波的透射率在半导体金属相变前后的最大变化达到了57.9%。同时发现，热处理500 ℃，10 s时VO2的电学和光学相变幅度相对要大，当热处理时间达到15 s左右时薄膜的相变幅度变化不再明显。快速热处理时间的长短对热致相变温
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