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上传时间: 2021-02-09
详细说明：在特定的气体氛围下，用一定能量密度的超短脉冲激光连续照射单晶硅片表面，或者离子注入在硅中引入硫族元素等方法，可在硅表面得到具有奇特光电性质的微米量级尖锥结构，该微锥结构被称为黑硅。这一新材料有奇特的光电性质，如对0.25~17 μm波长的光有强烈的吸收、具有良好的场致发射特性等，为硅提供许多新的功能。在四能级光吸收模型下，以硅中引入硫族杂质为特例分析微构造硅对太阳光利用的增强，详细研究了在硅的禁带中引入两个不同硫族杂质中间能级时的电离能与光损失的关系。
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