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全息光栅制作中光栅掩模形状随曝光量及干涉场条纹对比度的变化规律
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上传时间: 2021-02-09
详细说明：为了在光栅制作中对光栅掩模占宽比及槽深加以控制，结合光刻胶在显影过程中的非线性特性，建立了光栅掩模槽形演化的数学模型，由此分析和模拟曝光量、条纹对比度对光栅槽形的影响。结果表明：在显影条件确定时，光栅掩模占宽比随光刻胶曝光量的增大而减小，条纹对比度减小，则不仅使光栅占宽比减小，同时也是使光栅槽深减小的主要原因，这样做的前提是预先通过实验和计算确定出一个曝光量上限Ec。该方法能够反映光栅掩模形状的演化规律，为全息光栅参数预测和工艺控制提供依据。
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