文件名称:
Investigation of GaN-based dual-wavelength light-emitting diodes with p-type barriers and vertically stacked quantum wel
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文件大小: 1mb
下载次数: 0
上传时间: 2021-02-09
详细说明：Designs of p-doped in quantum well (QW) barriers and specific number of vertically stacked QWs are proposed to improve the optical performance of GaN-based dual-wavelength light-emitting diodes (LEDs). Emission spectra, carrier concentration, electron current density, and internal quantum e±ciency (
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