文件名称:
紫外曝光法制备高掺锗光波导分束器及耦合器
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文件大小: 2mb
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上传时间: 2021-02-08
详细说明：通过优化氮氧化硅薄膜的制备，获得均匀平整、掺锗浓度高的氮氧化硅薄膜。在优化光波导耦合器设计、载氢、紫外曝光等过程的基础上，利用 KrF 准分子激光，在掺锗氮氧化硅平面光波导中制备出了单模条形波导以及波导型耦合器和分束器。紫外光照射后重掺锗（锗掺杂原子数分数约为20%）平面光波导芯区的折射率最大增加约1.03倍，形成的条形波导传输损耗为0.28~0.32 dB/cm。实验表明紫外光曝光强度与掺锗氮氧化硅玻璃折射率的改变量是非线性的，折射率的变化可调整载氢压强和时间、紫外照射的光强度、材料掺锗浓度等参数来控制。
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