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超短抽运脉冲作用下半导体光放大器增益超快恢复过程分析
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上传时间: 2021-02-07
详细说明：为了对半导体光放大器(SOA)进行动态模拟，从超快非线性效应的传输方程和载流子速率方程出发，分别研究了载流子浓度脉动(CDP)、载流子加热(CH)、光谱烧孔(SHB)效应对SOA 输出增益和相位的影响，并改变输入脉冲峰值功率和SOA 的弛豫时间模拟CH 增益曲线的变化情况。结果表明，在超快恢复过程中，载流子加热效应对增益饱和的贡献较大，SHB 效应贡献的较少，CDP 效应则产生缓慢恢复过程。CDP 效应是产生非线性相移的最主要原因，SHB 效应对探测光相移的贡献可以忽略不计，CH 效应可以产生约0.8 rad 的相移贡献。CH 效应的强度大小可以影响增益饱和以及相位变化的程度，但不能够缩短超快
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