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光学系统像差对极紫外光刻成像特征尺寸的影响
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上传时间: 2021-02-06
详细说明：13.5 nm波长极紫外(EUV)光刻机的分辨率虽然很高,但因波长的减小使其对像差的容忍度降低,有必要研究像差对EUV光刻成像的影响。针对四类典型像差的波前特征,选取对像差最敏感的四种测试图形,研究像差对光刻成像特征尺寸和最佳聚焦点偏差量的影响。在满足焦深要求的条件下,给出各单类像差的最大允许范围,最后将四类像差总值控制在0.04λ内,从仿真分析的角度研究了实际工艺生产对像差的要求,即总像差需控制在0.025λ以内,约0.34 nm。
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