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上传时间: 2021-02-06
详细说明：在SiO2绝缘层上用高频溅射法淀积一层InP薄膜。经过连续Ar+激光再结晶以后,晶粒尺寸明显增大。利用离子背散射分析了激光再结晶前后InP化学计量比的变化,结果表明:采用SiO2保护膜后较好地抑制了InP组分的分解。对A+激光辐照引起的InP再结晶的机制进行了分析。
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