文件名称:
Si衬底GaN基蓝光LED钝化增透膜研究
开发工具:
文件大小: 2mb
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上传时间: 2021-02-06
详细说明：在Si衬底GaN基蓝光LED芯片上生长了一层SiON钝化膜，使器件的光输出功率提高12%且有效降低了器件在老化过程中的光衰。对有、无钝化膜的样品进行性能比较，结果表明SiON钝化膜能有效隔离环氧树脂与高温芯片，缓解环氧树脂的老化变黄；又能部分弛豫环氧树脂对芯片的张应力，降低非辐射复合中心产生的几率；有效减小器件的侧壁漏电通道，降低器件的光衰和漏电流，提高器件的可靠性。
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