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基于1.5 GHz多次谐波超短脉冲门控InGaAs/InP雪崩光电二极管的近红外单光子探测技术研究
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上传时间: 2021-02-05
详细说明：提出了一种高速门控盖格模式的铟镓砷/铟磷雪崩光电二极管（InGaAs/InP APD）单光子探测技术。将1.5 GHz多次谐波超短脉冲加载到InGaAs/InP APD上，盖革模式下的光生雪崩信号埋藏在短脉冲充放电形成的噪声中，采用700 MHz低通滤波器实现了50.6 dB的噪声抑制比，有效地提取出了雪崩信号。通过半导体制冷，使InGaAs/InP APD工作在-30 ℃，1.5 GHz短脉冲驱动下的InGaAs/InP APD在1550 nm的探测效率为35%，暗计数率为每门6.4×10-5，超过了单纯使用1.5 GHz正弦门的探测性能，而且在15%的探测效率下，2.7 ns后发生后脉冲的
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