文件名称:
Rf-PECVD制备Si掺杂DLC薄膜性能的研究
开发工具:
文件大小: 1mb
下载次数: 0
上传时间: 2021-02-05
详细说明：为了改善类金刚石(DLC)薄膜的应力和热稳定性，采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术，通过在原有设备上加入与流量控制器相连的双起泡器，并以氩气为运载气体，正丁烷为反应物，在硅基底上实现了以液态物质四甲基硅烷(TMS)为前驱物的Si 掺杂类金刚石薄膜的沉积。硬度、应力、表面粗糙度及热稳定性的测试表明，随着运载气体流量的增加，薄膜的应力分布、表面粗糙度和热稳定性都有很大程度的改善，但也导致薄膜的硬度下降，当运载气体的流量为30 mL/min(标准状态)时，Si 掺杂DLC 薄膜的石墨化温度可以达到600 ℃以上，薄膜的应力降低为0.65 GPa ，表面粗糙度降低到0.566 n
(系统自动生成,下载前可以参看下载内容)
下载文件列表
相关说明
- 本站资源为会员上传分享交流与学习,如有侵犯您的权益,请联系我们删除.
- 本站是交换下载平台，提供交流渠道，下载内容来自于网络，除下载问题外，其它问题请自行百度。
- 本站已设置防盗链，请勿用迅雷、QQ旋风等多线程下载软件下载资源，下载后用WinRAR最新版进行解压.
- 如果您发现内容无法下载，请稍后再次尝试；或者到消费记录里找到下载记录反馈给我们.
- 下载后发现下载的内容跟说明不相乎，请到消费记录里找到下载记录反馈给我们，经确认后退回积分.
- 如下载前有疑问，可以通过点击"提供者"的名字，查看对方的联系方式，联系对方咨询.
