文件名称:
GaAs衬底上氮化硅钝化层的低温制备工艺研究
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上传时间: 2021-02-04
详细说明：为了获得应用于AlGaAs 激光器上的优异的氮化硅薄膜，采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)低温条件下在GaAs 衬底上制备了不同参数的氮化硅薄膜，利用光学膜厚仪、原子力显微镜(AFM)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)等技术对薄膜残余应力、表面形貌、折射率等进行了分析。结果表明，薄膜的残余应力随沉积功率的增加而变大；随气压先降低后变大，在200 Pa 时仅为6 MPa。薄膜的表面粗糙度随功率的提高而变大；随气压的提高而减小。功率和气压对薄膜的折射率影响不大，均在2.0~2.2 之间。薄膜中氢的存在形式为N-H 键。选择合适的功率和气压，可以在低温下获得极低应力和优异表面形貌的氮化硅薄膜。
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