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上传时间: 2021-02-04
详细说明：基于密度泛函理论第一性原理的平面波超软赝势, 采用广义梯度近似及Heyd-Scuseria-Ernzerhof 03 (HSE03)方法对能带及态密度进行修正, 研究了AlN1-xPx(x=0, 0.25, 0.50, 0.75, 1)合金的晶体结构、电子结构和光学性质。结果表明, 随P含量的增加, AlN1-xPx晶格常数呈线性递增趋势, AlN1-xPx(x=0, 0.25, 0.75, 1)属于立方晶系, 而AlN0.50P0.50属于四方晶系。AlN1-xPx带隙随P含量的增加呈先减后增趋势, AlN和AlP是间接带隙半导体, 而AlN1-xPx(x=0.25, 0.50, 0.75)属于直接带隙半导体。P的存在破坏了AlN原本的本征值和简并态, 改变了电子能带结构。随P含量的增加, AlN1-xPx的光学性质曲线向低能区移动, 介电函数虚部的次强峰逐渐消失。AlN1-xPx合金对紫外光具有较强吸收, P的存在拓宽了可见光吸收范围。
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