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MOCVD制备不同衬底GaN外延的在线红外测温比较研究
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上传时间: 2021-02-04
详细说明：根据红外测温原理、薄膜等厚干涉模型及相关光学参数，在Al2O3、SiC、Si三种衬底上用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）技术制备10 μm GaN外延层的过程中，对940 nm单色测温、1550 nm单色测温、940 nm/1550 nm比色测温的发射率引起表观温度误差、真实温度与表观温度偏差进行理论比较。利用Si(111)衬底上制备InGaN/GaN多量子阱（MQW）蓝光发光二极管（LED）外延片过程的940 nm单色测温及940 nm/1550 nm比色测温结果，验证该建模及计算的正确性。研究结果表明：在500~1300 ℃，相同测温法在不同衬底间表观温度误差系数区别不大。相同衬底下，误差系数由小到大依次为：比色测温、940 nm单色测温、1550 nm单色测温。相同测温法在不同衬底间真实温度与表观温度偏差较大。相同衬底下，偏差结果由小到大依次为：比色测温、1550 nm单色测温、940 nm单色测温。该计算方法与结论可为红外测温设备的研发、不同衬底GaN基外延测温方法的选择提供借鉴与参考。
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