文件名称:
First principle study of the influence of vacancy defects on optical properties of GaN
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文件大小: 865kb
下载次数: 0
上传时间: 2021-02-03
详细说明：We employ plane-wave with ultrasoft pseudopotential method to calculate and compare the total density of states and partial density of states of bulk-phase GaN, Ga0:9375N, and GaN0:9375 systems based on the first-principle density-functional theory (DFT). For Ga and N vacancies, the electronic struc
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