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上传时间: 2021-02-03
详细说明：基于半导体硅电导率的可调性，设计了一种基于金属短线(CW)和圆形开口谐振环(SRR)的可控电磁诱导透明(EIT)结构，实现了对电磁诱导透明(EIT)效应的主动调控。研究发现，当半导体硅的电导率为1 S/m时，透射谱在1.33 THz附近呈现出透射率约为94%的窄透明窗口。当电导率为5000 S/m时，透射率变为58%; 当电导率为15000 S/m时，EIT效应基本消失，调控效率达到了66%。利用耦合模理论对不同电导率的透射谱进行拟合，发现拟合曲线与透射谱非常吻合，这表明仿真结果和理论计算结果是一致的。仿真和计算结果表明，当硅的电导率增大时，暗模式的阻尼率增大，其损耗也增大，当电导率增大到一定值时，暗模式的谐振不能被激发，EIT效应消失。
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