文件名称:
功率MOSFET寄生振荡的研究
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文件大小: 862kb
下载次数: 0
上传时间: 2021-01-30
详细说明:针对 MOSFET易产生寄生振荡的问题,在分析振荡与驱动电路各参数之间关系的基础上,通过加入合适的驱动电阻来解决该振荡问题,从而保证MOSFET 能在高速应用场合的可靠运行。该方法具有实现简单、成本低廉、安全可靠的特点。经过1000W纯正弦波逆变器设计应用,实验波形表明驱动电路的合理性和有效性。
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