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基于补偿电路的SRAM读操作跟踪电路设计
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文件大小: 2mb
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上传时间: 2021-01-28
详细说明：在传统静态随机存储器（SRAM）读操作跟踪电路中，生产工艺和温度的偏差会直接影响到对SRAM中存储数据的正确读取。因此，在本文中，我们采用工艺拐点补偿和温度补偿的方法，设计出了新型SRAM读操作跟踪电路。所设计跟踪电路，通过在不同工艺拐点和不同温度的情况下，对时序追踪字线DBL补偿不同大小的电流，从而减小灵敏放大器输入位线电压差对工艺拐点和温度的敏感度。有效减小了工艺拐点和温度对于SRAM读操作的影响，提高了SRAM的良率。基于SMIC 40nm CMOS工艺，对上述读操作跟踪电路进行了仿真，并且分别对补偿前后进行了10000次蒙特卡罗仿真与比较，仿真结果验证了所设计电路的可靠性和有效性。
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